MOS管開關(guān)電路實(shí)例1
在下圖所示的電路中，增強(qiáng)型 N 溝道m(xù)os管用于切換簡單的燈“ON”和“OFF”（也可以是 LED）。
柵極輸入電壓VGS被帶到適當(dāng)?shù)恼妷弘娖揭源蜷_器件，因此燈負(fù)載要么“打開”，（V GS = +ve），要么處于將器件“關(guān)閉”的零電壓電平，（V GS = 0V）。
如果燈的電阻負(fù)載要由電感負(fù)載（如線圈、螺線管或繼電器）代替，則需要與負(fù)載并聯(lián)一個(gè)“續(xù)流二極管”，以保護(hù)mos管免受任何自生反電動勢的影響。
上面顯示了一個(gè)非常簡單的電路，用于切換電阻負(fù)載，例如燈或 LED。但是，當(dāng)使用功率mos管切換感性或容性負(fù)載時(shí)，需要某種形式的保護(hù)來防止mos管器件受損。驅(qū)動感性負(fù)載與驅(qū)動容性負(fù)載的效果相反。
例如，沒有電荷的電容是短路的，導(dǎo)致高“涌入”電流，當(dāng)我們從感性負(fù)載上移除電壓時(shí)，隨著磁場崩潰，我們會產(chǎn)生很大的反向電壓，從而導(dǎo)致感應(yīng)繞組中的感應(yīng)反電動勢。
P溝道m(xù)os管開關(guān)電路實(shí)例
在上圖我們將 N 溝道 mos管視為開關(guān)，mos管放置在負(fù)載和地之間。這也允許 mos管的柵極驅(qū)動或開關(guān)信號以地為參考（低側(cè)開關(guān)）。但在某些應(yīng)用中，如果負(fù)載直接接地，我們需要使用 P 溝道增強(qiáng)型 mos管。如下圖所示。
P溝道m(xù)os管開關(guān)電路
在這種情況下，mos管開關(guān)連接在負(fù)載和正 電源 軌（高端開關(guān)）之間，就像我們使用 PNP 晶體管一樣。
在 P 溝道器件中，漏極電流的常規(guī)流動方向?yàn)樨?fù)方向，因此施加負(fù)柵源電壓以將晶體管“導(dǎo)通”。
這是因?yàn)?P 溝道m(xù)os管是“倒置”的，其源極端子連接到正電源+V DD。然后，當(dāng)開關(guān)變?yōu)榈碗娖綍r(shí)，mos管變?yōu)?ldquo;ON”，當(dāng)開關(guān)變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，mos管變?yōu)?ldquo;OFF”。
P 溝道增強(qiáng)型mos管開關(guān)的這種倒置連接允許我們將其與 N 溝道增強(qiáng)型 mos管串聯(lián)連接，以產(chǎn)生互補(bǔ)或 CMOS 開關(guān)器件，如上圖所示為跨雙電源。
MOS管開關(guān)電路實(shí)例2
這是一個(gè)簡單的電路，其中 N 溝道增強(qiáng)模式mos管將打開或關(guān)閉燈。為了將mos管用作開關(guān)，它必須工作在截止和線性（或三極管）區(qū)域。
假設(shè)設(shè)備最初是關(guān)閉的。柵極和源極之間的電壓，即 V GS適當(dāng)?shù)卦O(shè)為正值（從技術(shù)上講，V GS > V TH），MOSFET 進(jìn)入線性區(qū)域并且開關(guān)導(dǎo)通。這使燈打開。
如果輸入柵極電壓為 0V（或技術(shù)上 < V TH），則mos管進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)并關(guān)閉。這反過來會使燈關(guān)閉。
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