亚洲国产精品一区二区动图,亚洲aⅴ无码国精品中文字慕,亚洲精品久久久久久中文字幕,春药玩弄少妇高潮吼叫,60岁欧美乱子伦xxxx,国产午夜精品理论片久久影院,亚洲精品伦理熟女国产一区二区,日本无卡码高清免费v

您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二極管、三極管、MOS管、橋堆

全國服務熱線:18923864027

  • 熱門關鍵詞:
  • 橋堆
  • 場效應管
  • 三極管
  • 二極管
  • MOSFET管并聯應用時電流分配不均問題解析
    • 發布時間:2024-10-11 19:51:09
    • 來源:
    • 閱讀次數:
    MOSFET管并聯應用時電流分配不均問題解析
    1 引言
    MOSFET管的導通電阻具有正的溫度特性,可自動調節電流,因而易于并聯應用。但由于器件自身參數(柵極電路參數及漏源極電路參數不一致)原因,并聯應用功率MOSFET管會產生電流分配不均的問題,關于此問題,已有文獻進行過分析,這里進一步分析 MOSFET管并聯應用時導通電阻Ron、柵閾電壓UT、跨導Gm等自身參數及部分電路參數對靜態和動態電流分配的影響。
    2 導通電阻Ron對靜態電流分配的影響
    這里靜態是指器件開關過程已結束并進入穩定導通后的工作狀態。此時,由于導通電阻Ron具有正的溫度系數KT,可抑制電流分配不均的程度,但不能根本消除電流分配不均現象。實踐證明,當n只器件并聯時,若其中只有1只器件具有較小的導通電阻Ron,這時靜態電流不均現象最為嚴重。設較小導通電阻為R1,其余器件的導通電阻為R2,并設其結溫為Tj=25℃時的導通電阻分別為 R10和R20,而結溫Tj≠25℃時的導通電阻分別為R1T和R2T,則有:
    MOSFET管并聯應用
    式中,In為MOSFET管的漏極電流,RTj為PN結到管殼的熱電阻。
    若負載電流為I0,當各器件不存在電流分配不均現象時,各管漏極電流平均值為:
    MOSFET管并聯應用
    式中為漏極電流的不均勻度為導通電阻的不匹配度;M=I2BR10RTjKT,稱為功率MOSFET管導通電阻的自主補償系數。
    當并聯支路數n→∞時,式(6)可簡化為:
    在式(7)、(8)中再分別令M=0和n→∞,則均可得到:
    A=B (9)
     圖2是以IRFP064為例,根據式(6)~(9)計算出的漏極電流不均勻度A與導通電阻均勻度B間的關系曲線(以n為參變量),可得出如下結論:(1) 并聯器件數n相同的每一組曲線,漏極電流不均勻度A隨自主補償系數M的增大而下降;(2)并聯器件數n相同的每一組曲線,兩條曲線間的差距隨n的增大而增大;(3)并聯器件數n相同的每組曲線,隨n的減小而降低;(4)并聯器件的靜態電流不匹配度A有最大值,即A=B。所以,降低并聯器件的電流不匹配度的最有效方法就是提高并聯器件導通電阻的匹配程度。
    MOSFET管并聯應用
    3 閾值電壓UT對動態電流分配的影響
    動態電流分配不均是指由于器件本身參數失配而使各并聯支路在開關過程中電流大小不一致的現象。原因很多,這里以圖3為例分析閾值電壓UT引起的電流分配不勻現象。
    MOSFET管并聯應用MOSFET管并聯應用
    3.1 VT1、VT2均未導通時的柵極電壓,0→t1時段,iD1=iD2=0
    柵極驅動信號由負半周進人正半周后,信號源Ug向兩管的柵極電容Cgs充電,即:
    MOSFET管并聯應用
    MOSFET管并聯應用
    3.2 僅VT1管導通時的柵極電壓,t1~t2時段
    在t1~t2時間段內,iD1>0,iD2=0。對其整理,得到二階微分方程組:
    MOSFET管并聯應用
    式中,變量系數的數量級為A≈10-8,B≈10-5,C≈-10-13。下面分析中認為B>>A>>C。考慮t1~t2時間段變量x的初始條件,t=0時(即上一階段t=t1時);x=UT1;并選擇x'=0,并考慮微分方程中變量系數的數量級關系,得此微分方程組的解為:
    MOSFET管并聯應用
    3.3 兩管均導通時的柵極電壓,時段t2~∞
    在t2~∞時間段內,iD1>0,iD2>0根據圖3,可整理得出二階微分方程組為:
    MOSFET管并聯應用
    式中,C=2RgCgdgm(L0+LS),同上述略有差異,但這種差異對結果影響甚微,予以忽略。
     考慮本時段變量),的初始條件,t=0時(即上一階段t=t2時),y=UT2;并選擇y'=y(t2),得此微分方程組的解為:
    MOSFET管并聯應用
    此時,兩個 極電流的差達到最大值,即:
    MOSFET管并聯應用
    式(26)~式(27)反映了并聯應用的功率MOSFET極電流分配不勻程度及其與器件參數、電路參數的關系,以上分析利用了近似關系式B> >A>>C,當不滿足該關系時,以上分由式(26)~(27)可以看出,兩漏極電流分配不均的程度與管子參數gm、UT1、UT2、 Cgs、Cgd和電路參數Rg、Ls、Lo等都有密切關系。根據場效應管IRFP064的典型參數及典型電路參數應用式(10)、(15)、(16)、 (22)、(23)得到曲線如圖4所示。當得到的漏極電流的不均勻程度及所需時間隨管子參數和電路參數的變化關系如圖5、圖6所示。
    MOSFET管并聯應用MOSFET管并聯應用
    4 結束語
    通過以上分析,要減小并聯應用的MOSFET管電流分配不勻的影響,當應用電路采用如圖3所示的控制方式時,可采取以下措施:(1)盡量選擇UT、gm、Ron等參數對稱的管子,這是最基本的方法;(2)適當引入源極電感Ls,這樣既可提高漏極電流iD 的均勻度,又不至于明顯增大上升時間;(3)在漏極電流如的上升時間滿足要求的情況下,盡量減小柵極電阻Rg;(4)通過合理安排元器件及合理布線,盡量減小漏極分布電感。
    〈烜芯微/XXW〉專業制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷省20%,上萬家電路電器生產企業選用,專業的工程師幫您穩定好每一批產品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯系下方的聯系號碼或加QQ/微信,由我們的銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
     
    聯系號碼:18923864027(同微信)
     
    QQ:709211280

    相關閱讀
    主站蜘蛛池模板: 亚洲综合色区另类av 国色天香国产精品 999久久国产精品免费人妻 日本免费人成视频播放 日本无卡无吗二区三区入口 亚洲中文字幕无码av正片 亚洲欧美日韩国产手机在线 色哟哟最新在线观看入口 亚洲国产一区二区三区亚瑟 国产精品亚洲精品日韩己满十八小 无码av中文出轨人妻 一本色道婷婷久久欧美 国内精品国产三级国产av 欧美成人看片一区二区 日韩av无码社区一区二区三区 国产精品偷伦视频观看免费 久久精品成人无码观看不卡 97久久超碰国产精品旧版 国产午夜成人无码免费看不卡 男女做爰高清无遮挡免费视频 国产片av不卡在线观看国语 无码专区6080yy国产电影 无码av中文字幕一区二区三区 永久免费的av在线电影网 一边摸一边吃奶一边做爽 国产网曝在线观看视频 亚洲成a人v欧美综合天堂 亚洲偷自拍国综合色帝国 国产精品a免费一区久久电影 亚洲午夜无码极品久久 成熟女人特级毛片www免费| 欧美成人精品一区二区三区色欲| 99久久国产综合精品1| 精品国内在视频线2019| 久久久综综合色一本伊人| 亚洲欧美韩国综合色| …日韩人妻无码精品一专区| 亚洲嫩模喷白浆在线观看| 国产亚洲精品自在久久蜜tv| 亚洲国产精品久久久久网站| 午夜视频体内射.com.com|