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  • 三極管的放大作用簡述
    • 發布時間:2024-10-12 17:23:53
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    三極管的放大作用簡述
    先給出三極管內部結構圖:
    三極管的放大作用
    圖1
    三極管結構特點:(1) 基區很薄,且摻雜濃度低;(2) 發射區摻雜濃度比基區和集電區高得多;(3) 集電結的面積比發射結大。
    因此,三極管可以想象為兩個粉筆盒子中間夾著一張白紙。
    圖1是三極管內部電流的簡單圖解。一般情況下,對于NPN,我們只要記住
    1:基極電流由加載在基極的正電壓驅動基區的空穴產生,一般情況下很小。
    2:集電極電流由加載在集電極的正電壓吸引發射區的電子產生。
    3:發射極電流為基極電流和集電極電流之和。
    由圖1還可以看出,由發射區流向集電極的電子,雖然經過了基區,但并不構成基極電流,這是因為這些電子并沒有經過三極管外部基極的那根導線,所以不構成基極電流。
    我們都知道,晶體三極管具有電流放大作用,其實質是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。
    由圖1可以看出,所謂的放大作用,不過是由于加載在集電極的正電壓吸引的電子數大大超過了由基區流向發射區的空穴數目。這種放大作用,實際上是依靠消耗了圖1中兩個直流電源的能量實現的,而且只是從效果上來看得到的一種結果。也就是說,三極管本身是不具備什么放大作用的。
    至于三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量,從圖2可以看出來,這種作用也是有前提的,那就是首先要由直流電源提供合適的靜態工作點。
    三極管的放大作用
    圖2
    那么,三極管為什么能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量呢?
    似乎可以這樣理解:
    基極電流Ib是受發射結電壓Ube控制的,當Ube增大時,Ib會增大一點點,也就是由基區流向發射區的空穴會增加一點點,但同時會導致從發射區流向基區的電子增多,從而使得在VCC不變的前提下,導致集電極電流Ic增大,增大的幅度比基極電流要大很多,這是由于發射區高參雜濃度的內部結構特點決定的。
    因此,三極管的放大作用:
    1: 放大的能量來源于直流電源。
    2:基極電流對于集電極的控制作用是由三極管內部結構特點決定的。
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