一、N溝道與P溝道的選擇

在確定MOS管類(lèi)型時(shí)，首要考慮的是選擇N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應(yīng)用環(huán)境中，若MOS管的一端接地，而負(fù)載連接到干線(xiàn)電壓上，此時(shí)MOS管作為低壓側(cè)開(kāi)關(guān)存在，出于對(duì)關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目剂浚瑧?yīng)選用N溝道MOS管。相反，當(dāng)MOS管連接到總線(xiàn)且負(fù)載接地時(shí)，構(gòu)成高壓側(cè)開(kāi)關(guān)，通常會(huì)采用P溝道MOS管，這一選擇同樣是基于電壓驅(qū)動(dòng)的合理性考慮。

二、額定電壓的確定

準(zhǔn)確確定MOS管所需的額定電壓，即器件所能承受的最大電壓，是選擇過(guò)程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。一般來(lái)說(shuō)，額定電壓越高，器件的成本也相應(yīng)增加。根據(jù)實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，所選MOS管的額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線(xiàn)電壓或總線(xiàn)電壓，以確保在正常工作條件下，MOS管不會(huì)因過(guò)壓而失效，為電路提供足夠的保護(hù)。在選擇時(shí)，必須精準(zhǔn)確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。同時(shí)，需注意到MOS管能承受的最大電壓會(huì)隨溫度的變化而發(fā)生改變，因此，有必要在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)對(duì)電壓的變化范圍進(jìn)行測(cè)試。額定電壓必須具備足夠的余量，以覆蓋這一變化范圍，確保電路在不同溫度條件下的穩(wěn)定性。此外，由開(kāi)關(guān)電子設(shè)備（如電機(jī)或變壓器）誘發(fā)的電壓瞬變也是需要考慮的安全因素之一。不同應(yīng)用場(chǎng)景下的額定電壓有所差異，例如，便攜式設(shè)備通常為20V，F(xiàn)PGA電源為20～30V，而85～220VAC應(yīng)用則為450～600V。

三、額定電流的考量

MOS管的額定電流應(yīng)滿(mǎn)足負(fù)載在所有情況下能夠承受的最大電流需求。與電壓的選擇類(lèi)似，必須確保所選MOS管能夠承受這一額定電流，即使在系統(tǒng)出現(xiàn)尖峰電流的極端情況下。在考慮電流情況時(shí)，需要重點(diǎn)關(guān)注連續(xù)模式和脈沖尖峰兩種情形。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOS管處于穩(wěn)態(tài)，電流持續(xù)通過(guò)器件；而脈沖尖峰則指的是有大量電涌（或尖峰電流）流過(guò)器件。一旦明確了這兩種條件下最大電流，便可以直接選擇能夠承受該最大電流的MOS管器件。

四、導(dǎo)通損耗的計(jì)算

在實(shí)際應(yīng)用中，MOS管并非理想的器件，在導(dǎo)電過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生電能損耗，即導(dǎo)通損耗。當(dāng)MOS管處于“導(dǎo)通”狀態(tài)時(shí)，其表現(xiàn)類(lèi)似于一個(gè)可變電阻，該電阻由器件的RDS（ON）（導(dǎo)通電阻）所確定，并且會(huì)隨溫度的變化而顯著改變。器件的功率損耗可通過(guò)公式Iload²×RDS（ON）進(jìn)行計(jì)算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率損耗也會(huì)隨之按相同比例變化。對(duì)MOS管施加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會(huì)越小；反之，RDS（ON）就會(huì)越大。同時(shí)，需注意RDS（ON）電阻會(huì)隨著電流的增大而輕微上升。關(guān)于RDS（ON）電阻在不同電氣參數(shù)下的變化情況，可在制造商提供的技術(shù)資料表中查詢(xún)到。

五、系統(tǒng)的散熱要求

在考慮MOS管的散熱問(wèn)題時(shí)，需要關(guān)注兩種不同的情況，即最壞情況和真實(shí)情況。建議采用針對(duì)最壞情況的計(jì)算結(jié)果，因?yàn)檫@樣可以提供更大的安全余量，確保系統(tǒng)在極端條件下的穩(wěn)定性，不會(huì)因過(guò)熱而失效。在MOS管的資料表上，有一些重要的測(cè)量數(shù)據(jù)需要注意。例如，器件的結(jié)溫等于最大環(huán)境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積，即結(jié)溫=最大環(huán)境溫度+[熱阻×功率耗散]。根據(jù)這一公式，可以解出系統(tǒng)的最大功率耗散，其按定義相等于I²×RDS（ON）。已知將要通過(guò)器件的最大電流，便可以計(jì)算出不同溫度下的RDS（ON）。此外，做好電路板及其MOS管的散熱設(shè)計(jì)也至關(guān)重要。雪崩擊穿是指半導(dǎo)體器件上的反向電壓超過(guò)最大值，形成強(qiáng)電場(chǎng)使器件內(nèi)電流增加的現(xiàn)象。晶片尺寸的增加會(huì)提升抗雪崩能力，從而增強(qiáng)器件的穩(wěn)健性。因此，選擇更大的封裝件可以有效防止雪崩擊穿，提高M(jìn)OS管的可靠性。

六、開(kāi)關(guān)性能的決定因素

MOS管的開(kāi)關(guān)性能受到多種參數(shù)的影響，其中最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容在器件開(kāi)關(guān)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，因?yàn)樵诿看伍_(kāi)關(guān)時(shí)都需要對(duì)它們進(jìn)行充電。這會(huì)導(dǎo)致MOS管的開(kāi)關(guān)速度降低，進(jìn)而影響器件的效率。為了計(jì)算開(kāi)關(guān)過(guò)程中器件的總損耗，需要分別計(jì)算開(kāi)通過(guò)程中的損耗（Eon）和關(guān)閉過(guò)程中的損耗（Eoff）。MOSFET開(kāi)關(guān)的總功率可用如下方程表達(dá)：Psw=（Eon+Eoff）×開(kāi)關(guān)頻率。其中，柵極電荷（Qgd）對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響最為顯著。